可控硅的损坏原因跟保护的措施有哪些?

2020-07-16 00:00:57 利汇自动化 261

    利汇自动化专注于高品质可控硅及温控器的研制与生产,今天跟随利汇自动化一起来看看,可控硅的损坏原因跟保护措施:

    可控硅损坏的原因有哪些?

    1、电压击穿,可控硅因为不能够承受电压造成损坏,它的芯片中又一个光洁的小孔,有的时候需要使用放大镜才能看到,其原因可能是管子本身耐压下降或者被电路断开的时候产生的高电压击穿;

    2、电流上升率损坏,其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。

    3、电流损坏,电流损坏的痕迹特征是芯片被烧出一个凹坑并且非常粗糙,其位置在原理控制极上面;

    4、边缘损坏,其发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。


    二、怎样保护可控硅不受损坏呢?

    1、过电流保护,由于半导体器件体积小、热容量小,特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件,结温必须受到严格的控制,否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时,热量来不及散发,使得结温迅速升高,最终将导致结层被烧坏。产生过电流的原因是多种多样的,例如,变流装置本身晶闸管损坏,触发电路发生故障,控制系统发生故障等,以及交流电源电压过高、过低或缺相,负载过载或短路,相邻设备故障影响等。晶闸管过电流保护方法比较常用的是快速熔断器,因为普通熔断器的熔断特性动作太慢,在熔断器还没有熔断之前,晶闸管就已经被烧坏,所以,不能用来保护晶闸管,快速熔断器是由银制熔丝埋于石英砂内,熔断的时间非常短,能够使用其来保护晶闸管;

    2、过电压保护,晶闸管对过电压很敏感,当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,晶闸管就会立即损坏。因此,必须研究过电压的产生原因及抑制过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管是很危险的。

    以上便是有关于可控硅的损坏原因跟保护的方法,希望能够对您有所帮助,利汇自动化科技专注于中高端可控硅的研发与生产,如果您有相关产品需求,欢迎您致电利汇,我们将竭诚为您服务。

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